北京飛凱曼公司提供塞貝克熱電效應測試儀系統(tǒng)。塞貝克效應是一種物理現(xiàn)象，即兩種不同的導體材料或者半導體材料（如右圖所示）之間的溫度差異在接觸時會產(chǎn)生電勢差。當熱量施加在兩種導體或者半導體中的一個時，熱電子流會從熱端流向冷端。當這對材料通過電子回路連接時，直流電流（DC）就會從回路中流過。塞貝克效應產(chǎn)生的電壓很小，通常在連接點每開氏溫度只有幾個微伏或幾個毫伏。如果溫度差足夠大，一些塞貝克效應器件可以產(chǎn)生數(shù)毫伏甚至數(shù)千伏的電壓。很多類似的器件可以串聯(lián)起來增加輸出電壓或者并聯(lián)起來增加較大輸出電流。 塞如果在節(jié)點處維持大的溫度差，貝克效應器件組成的大型陣列可以提供非常有用的、小規(guī)模的電源。   特點和優(yōu)勢 我們的優(yōu)勢在于我們使用了Joule-Thomason熱臺作為溫度控制裝置，除此之外，MMR的塞貝克效應測試儀更多的優(yōu)勢體現(xiàn)在很多的科學應用上，包括：     ♦ 塞貝克測試系統(tǒng)具有50 nVolt的分辨率     ♦ 可測試的樣品從金屬到薄膜     ♦ 高的測試精度和重復性     ♦ 相對參考材料的自動運算     ♦ 結構緊湊     ♦ 寬的溫度測試范圍：70K 至 730K     ♦ 可測試的樣品范圍廣：包括單晶體、薄膜、線等 自動的熱能測量提供如下好處：     ♦ 連續(xù)的計算機控制的試驗參數(shù)可產(chǎn)生接近恒定大小和周期的溫度梯度。     ♦ 密度的數(shù)量級增加的數(shù)據(jù)極容易獲取 ♦ 一致的數(shù)據(jù)簡化了程序，對于每次測量非常有用 ♦ 可以和霍爾效應測試儀公用平臺，降低設備采購成本。 總之，這些因素使得MMR的塞貝克效應測試系統(tǒng)具有非常高的精度和測試重復性。   技術參數(shù)： 工作溫度范圍：                70K and 730K* 腔體尺寸：                    寬度：2.5 in (6.35 cm)                               長度：6.0 in (16.54 cm)                               深度：1.45 in (3.7 cm) – 電子連接端                               深度：1.45 in (3.7 cm) – 樣品固定端 工作距離：                    0.47 in (12 mm) 較大熱測量范圍：              +/- 50 nVolt 參考和測試通道的增益失配：     < 0.1% 加熱模塊較小功率步進：         0.1 mWatt (決定了通過樣品的溫度差異) 加熱模塊較大功率步進：         900 mWatts 自動讀數(shù)：                     較大至128 參考材料：                     銅鎳合金-與待測樣品相對 溫度傳感器：                   鉑電阻溫度計 樣品固定尺寸：                 10 mm x 12 mm 樣品長度：                     2 mm to 10 mm(取決于固定方法) 控制器要求：                   MMR提供的可編程溫度和塞貝克測量控制器 過濾干燥系統(tǒng)要求：             標準的過濾干燥系統(tǒng)或者可再生過濾干燥系統(tǒng) 氣體要求：                     99.998% 的高純氮氣或者氬氣，至少1800 psi壓力 真空要求：                     不高于8 mTorr   產(chǎn)品應用      ♦ 汽車和燃油      ♦ 能源利用效率      ♦ 替代能源領域      ♦ 熱電制冷      ♦ 很多其他工業(yè)和研究領域-每年都會誕生新的應用領域 詳細信息請聯(lián)系我們。