韓國三星電子（Samsung Electronics）開發(fā)出了使用單晶硅TFT的2.4英寸QVGA主動(dòng)矩陣型農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系EL面板，并在“SID 2007”上發(fā)表了制造技術(shù)的詳細(xì)情況。提高主動(dòng)矩陣型農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系EL面板的亮度需要加大發(fā)光材料中通過的電流。為此，需要采用提高TFT所用半導(dǎo)體層的結(jié)晶性以及TFT載流子遷移率的技術(shù)。此前，使用低溫多晶硅的情況較多，而使用單晶硅尚無先例。 
    三星開發(fā)的面板為240×320像素，亮度為350cd/m2，對(duì)比度為1萬比1。像素間隔為51μm×153μm，像素電路由2個(gè)TFT和1個(gè)電容器組成。TFT的載流子遷移率為p通道90cm2/Vs、n通道120cm2/Vs，與其它農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系EL用TFT相比，非常高。目前，該公司還在利用此次開發(fā)的制造方法試制1.9英寸TFT液晶面板。 
    在此之前，單晶硅TFT的使用尚無先例，其原因是單晶硅在制造面板的玻璃底板上成膜非常困難。在此次開發(fā)中，三星使用了美國康寧（Corning）開發(fā)的向玻璃底板轉(zhuǎn)印單晶硅的技術(shù)“SiOG”。該技術(shù)首先要向單晶硅晶圓表面之下較淺的部位注入氫離子。然后把晶圓粘貼到康寧制造的“EAGLE”玻璃底板上，在從粘貼后的底板的內(nèi)外兩側(cè)施加電壓的同時(shí)進(jìn)行熱處理。這樣，在氫離子轉(zhuǎn)變?yōu)闅浞肿拥耐瑫r(shí)，進(jìn)行了離子注入的部分的結(jié)晶會(huì)受到損傷，取下晶圓時(shí)，單晶硅膜能夠殘留在晶圓表面。三星表示，“用粘貼方式制造的TFT粘著性良好，可靠性方面也無需擔(dān)心”。另外，此次的方法還可用于大型面板用底板，應(yīng)用范圍較少可涵蓋至第4代底板