靶中毒的影響因素，影響靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過量就會導致靶中毒。反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時調整反應氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到舒緩，濺射溝道將進一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶完全中毒，在靶面上沉積一層化合金屬膜。使其很難被再次反應。       靶中毒現(xiàn)象:(1)正離子堆積：靶中毒時，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋，不能直接進入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進行下去。（2）陽極消失：靶中毒時，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達陽極的電子無法進入陽極，形成陽極消失現(xiàn)象。       半導體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料，制造材料包括硅片（37%）、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學品、電子氣體、P拋光材料、以及靶材等；（39%）、引線框架、樹脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等。在國內(nèi)占據(jù)了大部分中等和要求不高的靶材市場份額。國內(nèi)靶材公司的發(fā)展趨勢如何？目前大部分國家高等靶材市場主要分布于韓國、、中國、日本，主要供應商在日本，韓國。中國市場目前年消耗ITO靶材約300噸，但處于快速增長之中日本企業(yè)在硅晶圓、合成半導體晶圓、光罩、光刻膠、靶材料、保護涂膜、引線架、陶瓷板、塑料板、TAB（捲帶式自動接合）、COF（薄膜復晶）、焊線、封裝材料等14種重要材料方面均占有50%以上的份額。       靶材是一種具有高附加值的特種電子材料，是濺射薄膜材料的源極。已得到從未有過的發(fā)展，靶材市場規(guī)模日益膨脹。冷噴涂在濺射靶材制造方向優(yōu)勢顯著。冷噴涂靶材致密,幾乎沒有氣孔,濺射過程中不會有異常放電。者噴涂速度與前者相同，但溫度下降至1000℃，加之以空氣作為助燃劑，成本大幅下降。混粉機和噴洗房內(nèi)的噴洗時的惰性氣體均采用氦氣，便于雜質的控制。另外，在步驟S3中，清洗時采用無水乙醇或者純凈水，有效防止靶材表面加工后留存的雜質。此外，在步驟S4中，密封好的靶材外面再用氣泡膜包裹后裝入運輸箱中，防止在運輸?shù)倪^程中進行碰撞損壞。進一步，進行真空包裝時，采用PE尼龍復合塑料袋進行包裝，在進行真空包裝放入PE尼龍復合塑料袋時。       會產(chǎn)生不同的殺傷應。為了滿足更高的鍍膜要求，迫切需要一種新的技術制備出高質量的鋁鈧旋轉靶材。采用可控氣氛冷噴涂制備鋁鈧旋轉靶材的方法，靶材的相對密度多97%，純度彡99.99%，氧含量200ppm，鈧元素的含量為0.14wt%，其余為銷元素。尤特新材主要致力于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售ITO靶材及其它，公司內(nèi)設有研發(fā)中心和實驗室，生產(chǎn)的ITO旋轉靶材一直處于業(yè)內(nèi)****地位，產(chǎn)品廣泛應用于TFT-LCD、OLED(農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系發(fā)光二極管)、觸摸屏、LED、薄膜太陽能電池、節(jié)能玻璃等領域。目前是國內(nèi)一家實現(xiàn)量產(chǎn)出貨TFT-LCD行業(yè)的ITO靶材供應商。后隨著電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，高技術材料逐漸向薄膜轉移，鍍膜期間隨之發(fā)展迅速。       在鈍化表面的同時可以形成背表面場。由于非晶硅的導電性較差，射技術濺射TCO膜進行橫向導電，采用絲網(wǎng)印刷技術形成雙面電極，使得HIT電池有著對稱雙面電池結構。HIT電池是以晶硅太陽能電池為襯底，以非晶硅薄膜為鈍化層的電池結構。種在P型氫化非晶硅和n型氫化非晶硅與n型硅襯底之間增加一層非摻雜(本征)氫化非晶硅薄膜的電池結構。結電池，即PN結是在同一種半導體材料上形成的，而異質結電池的PN結采用不同的半導體材料構成。鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)相關信息在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，用于高能激光****中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時。