綁定式磁控濺射旋轉靶材，包括背管(I)和固定套結在背管(I)外壁的靶管(3)，其特征在于:所述固定套結在背管(I)外壁的靶管(3)為至少一個，所述背管(I)外壁設有開口槽(2)，靶管(3)通過填充在開口槽(2)內的無銦釬焊材料旋轉加熱焊接固定在背管(I)夕卜壁。2.根據(jù)權利要求1所述綁定式磁控濺射旋轉靶材，其特征在于:所述開口槽(2)為半圓形螺旋槽。3.根據(jù)權利要求2所述綁定式磁控濺射旋轉靶材，其特征在于:所述半圓形螺旋槽螺距是槽深的一半。4.根據(jù)權利要求1所述綁定式磁控濺射旋轉靶材，其特征在于:所述靶管(3)內壁與背管(I)外壁間隙為0.2—0.4mm。5.根據(jù)權利要求1所述綁定式磁控濺射旋轉靶材，其特征在于:所述靶管(3)為兩個以上時，革E管⑶與靶管(3)之間間隙小于0.5mm。6.根據(jù)權利要求5所述綁定式磁控濺射旋轉靶材，其特征在于:所述靶管(3)為兩個以上時，靶管(3)與靶管(3)之間使用硅橡膠墊(4)和高溫膠帶密封。7.根據(jù)權利要求1-6中任一所述綁定式磁控濺射旋轉靶材，其特征在于:所述靶管(3)為三個以上時，設置在兩端部的兩個靶管(3)比中間靶管(3)厚30 % — 50 %。廣面。 濺射技術，濺射是制備薄膜材料的主要技術之，它利用離子源產生的離子，在真空中經過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是制備濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。各種類型的濺射薄膜材料無論在半導體集成電路、太陽能光伏、記錄介質、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣泛的應用UVTM可提供硅材料等，硅靶材和晶圓的直徑可達18英寸。目前，硅晶圓主流尺寸為8英寸、12英寸。UVTM的硅靶材作為應用于手機玻璃蓋板的重要靶材產品，已獲得多家手機玻璃蓋板生產客戶的認可，并已實現(xiàn)批量供貨。ito。       半導體芯片行業(yè)用的金屬濺射靶材，主要種類包括：銅、鉭、鋁、鈦、鈷和鎢等高純?yōu)R射靶材，以及鎳鉑、鎢鈦等合金類的濺射靶材。銅靶和鉭靶通常配合起來使用。目前晶圓的制造正朝著更小的制程方向發(fā)展，銅導線工藝的應用量在逐步加大，因此，銅和鉭靶材的需求將有望持續(xù)增長。鋁靶和鈦靶通常配合起來使用。目前，在汽車電子芯片等需要110nm以上技術節(jié)點來保證其穩(wěn)定性和抗干擾性的領域，仍需大量使用鋁、鈦靶材。高純貨品靶材被譽為半導體芯片材料的強者，半導體產業(yè)對濺射靶材和濺射薄膜的品質要求非常高，隨著更大尺寸的硅晶圓片制造出來，相應地要求濺射靶材也朝著大尺寸、高純度的方向發(fā)展，同時也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。       由于HJT電池的工藝要求較高，因此ITO濺射靶材的比例和純度非常重要。什么是高純?yōu)R射靶材？就是利用各種高純單質貨品及新型化合物制得的功能薄膜為（簡單理解就是純度更高），主要用于對材料純度、穩(wěn)定性要求更高的領域，像集成電路、平板顯示器、太陽能電池、記錄媒體、智能玻璃等行業(yè)。在濺射靶材應用領域中，半導體芯片對濺射靶材的要求是比較高的，要求靶材純度很高，一般在5N（99.999%）以上。日本在電子行業(yè)的上游材料領域占據(jù)了優(yōu)勢，在硅晶圓材料、光罩、靶材等重要的細分子領域的市場份額都超過50%。高純靶材用量較大的行業(yè)主要有半導體集成電路、平板顯示器、太陽能電池、磁記錄介質、光學器件等。AZO靶材是其中一種制造高科技節(jié)能玻璃鍍膜材料。銀銅合金靶材供應。洛純靶材。       目前，大部分國家的靶材制造行業(yè)，特別是高純度的靶材市場，呈現(xiàn)寡頭壟斷格局，主要由幾家美日大企業(yè)把持，如日本的三井礦業(yè)、日礦金屬、日本東曹、住友化學、日本愛發(fā)科，以及美國霍尼韋爾、普萊克斯等。日礦金屬是大部分國家大的靶材供應商，靶材銷售額約占大部分國家市場的30%，霍尼韋爾在并購JohnsonMattey、整合高純鋁、鈦等原材料生產廠后，占到大部分國家市約20%的份額，此外，東曹和普萊克斯分別占20%和10%。氧化鋅是一種透明導電膜材料。以ZnO粉末和Al_2O_3粉末為主要原料,以常壓、空氣氣氛燒結為手段制備透明導電膜用ZnO陶瓷靶材。研究結果表明:粉末成型壓力為3MP時,靶材電學性能佳;當Al:Zn原子比為4.100時,ZnO的電阻率低,達4.1×10~(-3)Ω·㎝,當Al摻雜量超過某一數(shù)值后,Al不再以替位離子形式存在,而是與周圍的Zn、O原子共同作用,生成鋅鋁尖晶石相,從而導致材料的電阻率升高。噴涂靶話。